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突破核心技术直面全球竞争 第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛收官

2018-12-28    来源: 中国财经网  跟贴 0

  在竞争激烈的第三代半导体领域,中国企业如何通过技术创新,直接参与全球竞争?

  2018年12月21日-22日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(以下简称“联盟”)牵头主办的第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛(以下简称“大赛”)在北京市顺义区完美收官。33个全球总决赛入围项目经过激烈角逐,最终6个项目分获企业组、团队组一、二、三等奖。

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全球总决赛颁奖典礼重要嘉宾

  本届大赛自2018年6月8日启动以来,历时6个多月,设置京津冀、南部、东南、东部、国际5大分赛区,吸引来自德国、荷兰、瑞士、英国、日本等10余国家,以及北京、上海、广州、深圳等国内50余城市560余个行业创新项目。

  来自苏州得“锴威特半导体有限公司”在本届大赛全球总决赛中获得企业组第一名。这是一家对标英飞凌IR工业级产品、以SiC功率MODFET器件为核心的研发与设计应用的自主创新企业,是国内率先推出量产级1200V SiC MOSFET的单位。数据显示,该公司已申请专利43件,授权发明专利3件,实用新型专利14件,布图保护10件;拥有品牌客户100多家,其中上市企业10多家。

  据了解,紧随‘中国制造2025’的发展趋势,新能源汽车和智能电网为高压SiC功率器件的市场化带来无限潜力。SiC功率器件2023年预计市场总量可达140亿美金,新能源汽车、充电桩及太阳能应用会迎来爆发期。

  公司研发副总裁谭在超表示,锴威特以‘西电锴威特研究生实训与研发中心’为依托,以台湾汉磊为生产代工平台,与西安电子科技大学共同致力于SiC功率半导体产品尤其是SiC MOSFET的技术研发攻关,以实现SiC MOSFET的国产化品牌以及产业化为目标而努力。

  谭在超同时也强调:“无论是原材料、芯片还是应用端,SiC技术的市场化进程仍然面临着巨大挑战,SiC领域需要所有从业者的不懈努力、持续改进,让SiC科技的进步改变人类生活。”

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苏州锴威特半导体有限公司研发副总裁谭在超

  而获得全球总决赛团队组第一名的“柠檬光子”,其核心团队在创业公司中堪称“豪华”——六位核心团队成员均拥有国际一线半导体激光公司十多年以上工作经验,其中四位拥有美国名校博士学位。

  “我们不满足于只做进口替代的中国制造,我们有绝对的技术实力做‘中国创造’,直接参与国际竞争!”团队创始人肖岩表示,目前我国半导体激光芯片产业薄弱,以往团队主要在科研院所,产业化程度相对较低,近年来涌现出为数不多的海归团队,研发高端半导体激光芯片,我们就是其中之一。

  目前,团队已经掌握了各种半导体激光芯片及组件的前沿技术,包括端面发射芯片(EEL) 的设计和流片工艺,垂直腔面发射芯片(VCSEL) 的设计和流片工艺,水平腔面发射芯片(HCSEL) 的设计和流片工艺(公司专有技术),高级半导体激光芯片封装技术,直接半导体激光器光束整形、光纤耦合及整机技术。

  肖岩自信的表示:“我们要以当代产品的进口替代打破国际垄断,以下一代领先的芯片技术树立民族品牌。”

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柠檬光子团队创始人肖岩

  “‘突破核心技术,掌握国之重器’,不仅仅第三代半导体专业赛的参赛口号,更是所有参赛项目的理念初衷。”大赛组委会相关负责人表示,目前全球各国均在加大马力布局第三代半导体领域,据不完全统计,2017年,美国、德国、英国、欧盟等国家和组织启动了至少12个研发计划和项目。

  本届大赛,涌现和发掘了出一大批诸如锴威特、柠檬光子这样的企业和团队,包括企业组获奖项目:子询人工智能、光子芯片、常州镭斯尔、芯冠科技、雪湖科技、意发功率、国扬电子、苗米科技、光晶致洁、莱泽光电、致晶科技、鳍源科技、星闪世图、联士光电、菲达旭、中科华盈、唯思科技;团队组获奖项目:中科院半导体所滤波器团队、瑞士的AlpsenTek团队、中科视语、深圳柔电技术、南京众科汇、广州半导体研究院GaN芯片、荷兰的TU-power团队、祝晓钊团队、探维科技、德国的像工场科技、中国光芯、钟催林毫米波雷达、苏州海致(微纳增材)、光创科技等。

  “这意味着中国在该领域已拥有良好的基础。”该负责人表示,值得一提的是,这些团队不仅拥有核心技术、专业能力,更有着对产业发展的清醒认知,几乎所有国内参赛企业和团队,都把打破国外垄断、参与国际竞争,当作自身的目标和远景。






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